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LPCVD 鍍膜機

LPCVD 鍍膜機

產品特點 1.成熱的高產能工藝、雙模溫度控制技術、薄膜硅保護技術:
2.具備多種鍍膜技術:多層復合膜,摻雜多晶硅技術;
3.專利快速降溫爐體:最新專利技術使爐體溫度快速降到所需溫度,降溫速率提升25%以上,明顯提升爐管內溫度均勻性;
4.快速自適應壓力閉環控制技術;
5.架構完整,性能突出的MES/CCRM系統;
6.一體化工控機+模塊化工藝控制軟件;
7.全面的停電安全處理和法蘭水異常保護。

產品應用

適用于半導體和光伏領域,針對于光伏領域TOPCon工藝電池,LPCVD設備可一站式完成隧穿氧化層/Poly層的制備。熱氧和淀積Poly層兩個工藝合二為一能夠大幅度提高產能,同時兼容i/d -Poly生長工藝。

產品參數

    項目

 技術指標

成膜種類

SiOx, i/d-Poly-Si

裝片尺寸

垂直裝片方式:2880片/批(182mm),2200片/批(210mm)

膜厚均勻性

Si0x均勻性:厚度1-3nm可調,精度0.1nm,用拋光片測試SiOx厚度;
  Poly均勻性:厚度50-200nm可調,精度1nm,用拋光片測試Poly厚度,片內:≤4%,;片間≤4%;批間≤3%(>100nm時)

UP-TIME

≥95%

                             工作溫度范圍                              

400-750

溫度控制

6點控溫,內外雙模控制

                                   升溫方式                                 

自動斜率升溫及快速恒溫功能

降溫方式

最新專利技術,6溫區分段控制主動降溫爐體

                     恒溫區精度及長度                         

±1℃/2800mm(550-700℃)

單點溫度穩定度

1±℃/6H

升溫時間

RT→750℃≤45min

降溫速率

≥5℃/min

                                   溫度控制                                     

雙模精確控制

 系統極限真空度

<3Pa

    系統漏氣率      

停泵關閥后壓力升率<2Pa/min

壓力控制方式

快速調整全自動閉環

                         工藝控制式                       

工藝過程全自動控制,多重安全連鎖報警

人機交互界面

LCD顯示、觸摸操作、工藝編輯、在線監控、權限管理、班組管理、組網功能

MES/CCRM

具有


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